光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學反應，經(jīng)曝光、顯影等光刻工序?qū)⑺枰奈⒓殘D形從光罩（掩模版）轉(zhuǎn)移到待加工基片上。依據(jù)使用場景，這里的待加工基片可以是集成電路材料，顯示面板材料或者印刷電路板。
在平板顯示行業(yè)：主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。在光刻和蝕刻生產(chǎn)環(huán)節(jié)中，光刻膠涂覆于晶體薄膜表面，經(jīng)曝光、顯影和蝕刻等工序?qū)⒐庹郑ㄑ谀ぐ妫┥系膱D形轉(zhuǎn)移到薄膜上，形成與掩膜版對應的幾何圖形。
在PCB行業(yè)：主要使用的光刻膠有干膜光刻膠、濕膜光刻膠、感光阻焊油墨等。干膜是用特殊的薄膜貼在處理后的敷銅板上，進行曝光顯影；濕膜和光成像阻焊油墨則是涂布在敷銅板上，待其干燥后進行曝光顯影。干膜與濕膜各有優(yōu)勢，總體來說濕膜光刻膠分辨率高于干膜，價格更低廉，正在對干膜光刻膠的部分市場進行替代。在半導體集成電路制造行業(yè)：主要使用g線光刻膠、i線光刻膠、KrF光刻膠、ArF光刻膠等。在大規(guī)模集成電路的制造過程中，一般要對硅片進行超過十次光刻。在每次的光刻和刻蝕工藝中，光刻膠都要通過預烘、涂膠、前烘、對準、曝光、后烘、顯影和蝕刻等環(huán)節(jié)，將光罩（掩膜版）上的圖形轉(zhuǎn)移到硅片上。
光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素。光刻工藝的成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約占整個芯片工藝的40%~50%。光刻膠材料約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。因此光刻膠是半導體集成電路制造的核心材料。按顯示效果分類，光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。負性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩（掩膜版）相反；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產(chǎn)工藝流程基本一致，區(qū)別在于主要原材料不同。按照化學結(jié)構(gòu)分類；光刻膠可以分為光聚合型，光分解型，光交聯(lián)型和化學放大型。光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下生成自由基，進一步引發(fā)單體聚合，最后生成聚合物。光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應，可以制成正性光刻膠；
在半導體集成電路光刻技術(shù)開始使用深紫外（DUV）光源以后，化學放大（CAR）技術(shù)逐漸成為行業(yè)應用的主流。在化學放大光刻膠技術(shù)中，樹脂是具有化學基團保護因而難以溶解的聚乙烯。化學放大光刻膠使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑。
按照曝光波長分類，光刻膠可分為紫外光刻膠（300~450nm）、深紫外光刻膠（160~280nm）、極紫外光刻膠（EUV，13.5nm）、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同曝光波長的光刻膠，其適用的光刻極限分辨率不同。通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越短，加工分辨率越佳。
可測量不同波長下的折射率與阿貝數(shù)值，數(shù)字顯示，準確清晰，活動光源，可定做濾光片，對薄膜的XYZ軸有特殊方法檢測！
ATAGO愛拓半導體光刻膠折射率阿貝折光儀 DR-M2/M4（最大1,100nm），可在波長450至1,100nm范圍內(nèi)，使用不同的波長測量折射率（nD）和阿貝數(shù)值。測量結(jié)果通過調(diào)整分界線至十字交叉點確定，測量結(jié)果在LCD顯示屏以數(shù)字形式顯示，與傳統(tǒng)型阿貝折射儀相比，讀數(shù)更快速更清晰。尤其適合高精度測量眼鏡片等聚酯材質(zhì)的折射率。
ATAGO愛拓半導體光刻膠折射率阿貝折光儀，廣泛用于測量：濃縮果汁、香精香料、工業(yè)溶液、化工材料、光學玻璃、塑料薄膜、各種新型材料及某些固體物質(zhì)的折射率（nD）及Brix值。
